注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Kvantitet: | |
|---|---|
8N70/F8N70/I8N70/E8N70
WXDH
8A 700V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivning
Dessa kisel N-kanal förbättrade vdmosfets, erhålls av den självinriktade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestanda och förbättrar lavinenergin.Vilket överensstämmer med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Snabb växling
● Lågt motstånd (Rdson≤1,15Ω)
● Låg grindladdning (typ: 27nC)
● Låga omvända överföringskapacitanser (typ: 4,7pF)
● 100 % enkelpuls lavinenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Applikationer
● Används i olika strömbrytarkretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet.
● Strömbrytarkrets för adapter och laddare.
| VDSS | RDS(på)(TYP) | ID |
| 700V | 0,96Ω | 8A |
8A 700V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivning
Dessa kisel N-kanal förbättrade vdmosfets, erhålls av den självinriktade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestanda och förbättrar lavinenergin.Vilket överensstämmer med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Snabb växling
● Lågt motstånd (Rdson≤1,15Ω)
● Låg grindladdning (typ: 27nC)
● Låga omvända överföringskapacitanser (typ: 4,7pF)
● 100 % enkelpuls lavinenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Applikationer
● Används i olika strömbrytarkretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet.
● Strömbrytarkrets för adapter och laddare.
| VDSS | RDS(på)(TYP) | ID |
| 700V | 0,96Ω | 8A |
