注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Кількість: | |
|---|---|
8N70/F8N70/I8N70/E8N70
WXDH
8A 700V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
Ці кремнієві N-канальні покращені vdmosfet, отримані за самовирівняною планарною технологією, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини.Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Низький опір (Rdson≤1,15Ω)
● Низький заряд затвора (тип: 27nC)
● Низька ємність зворотного перенесення (тип: 4,7 пФ)
● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.
● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.
| VDSS | RDS (увімкнено) (TYP) | ID |
| 700В | 0,96 Ом | 8A |
8A 700V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
Ці кремнієві N-канальні покращені vdmosfet, отримані за самовирівняною планарною технологією, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини.Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Низький опір (Rdson≤1,15Ω)
● Низький заряд затвора (тип: 27nC)
● Низька ємність зворотного перенесення (тип: 4,7 пФ)
● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.
● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.
| VDSS | RDS (увімкнено) (TYP) | ID |
| 700В | 0,96 Ом | 8A |
