DH4N150F
WXDH
4A 1500V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET
1 説明
DH4N150 は、シリコン N チャネル エンハンスド VDMOSFET であり、自己整合プレーナ技術によって導通損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化します。このトランジスタは、システムの小型化と高効率化を目的としたさまざまな電源スイッチング回路に使用できます。パッケージ形状はRoHS規格に準拠したTO-3PFです。
2 特徴
高速スイッチング
低オン抵抗(Rdson≤6.5Ω)
低いゲート電荷 (標準データ: 38nC)
低い逆方向伝達容量(標準:2.9pF)
100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験
3 アプリケーション
アダプターと充電器の電源スイッチ回路。
VDSS | RDS(オン)(TYP) | ID |
1500V | 4.9Ω | 4A |
4A 1500V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET
1 説明
DH4N150 は、シリコン N チャネル エンハンスド VDMOSFET であり、自己整合プレーナ技術によって導通損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化します。このトランジスタは、システムの小型化と高効率化を目的としたさまざまな電源スイッチング回路に使用できます。パッケージ形状はRoHS規格に準拠したTO-3PFです。
2 特徴
高速スイッチング
低オン抵抗(Rdson≤6.5Ω)
低いゲート電荷 (標準データ: 38nC)
低い逆方向伝達容量(標準:2.9pF)
100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験
3 アプリケーション
アダプターと充電器の電源スイッチ回路。
VDSS | RDS(オン)(TYP) | ID |
1500V | 4.9Ω | 4A |
江蘇東海半導体有限公司は、2004 年 12 月に江蘇省無錫市新呉区朔芳中通東路 88 号に設立されました。面積は15000平方メートルです。登録資本金は8,150万元です。年間5億電力の生産ラインを持っています。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。