Nome: 建议图片大小150px*50px 
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| Quantidade: | |
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DH4N150F
WXDH
4A 1500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência
1 Descrição
DH4N150, os VDMOSFETs aprimorados de canal N de silício, são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia de avalanche.O transistor pode ser usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.O formato da embalagem é TO-3PF, que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
Troca rápida
Baixa resistência ON (Rdson≤6,5Ω)
Carga de porta baixa (dados típicos: 38nC)
Baixas capacitâncias de transferência reversa (típica: 2,9pF)
Teste de energia de avalanche de pulso único 100%
3 aplicações
Circuito do interruptor de alimentação do adaptador e do carregador.
| VDSS | RDS(ligado)(TYP) | EU IA |
| 1500 V | 4,9Ω | 4A |
4A 1500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência
1 Descrição
DH4N150, os VDMOSFETs aprimorados de canal N de silício, são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia de avalanche.O transistor pode ser usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.O formato da embalagem é TO-3PF, que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
Troca rápida
Baixa resistência ON (Rdson≤6,5Ω)
Carga de porta baixa (dados típicos: 38nC)
Baixas capacitâncias de transferência reversa (típica: 2,9pF)
Teste de energia de avalanche de pulso único 100%
3 aplicações
Circuito do interruptor de alimentação do adaptador e do carregador.
| VDSS | RDS(ligado)(TYP) | EU IA |
| 1500 V | 4,9Ω | 4A |
