Saadavus: | |
---|---|
Kogus: | |
DH4N150F
WXDH
4A 1500 V N-kanaliga täiustusrežiimi võimsus MOSFET
1 Kirjeldus
DH4N150, räni N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id, saadakse isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat.Transistorit saab kasutada mitmesugustes toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks.Pakendi vorm on TO-3PF, mis vastab RoHS standardile.
2 Omadused
Kiire ümberlülitamine
Madal sisselülitamistakistus (Rdson≤6,5Ω)
Madal väravatasu (tavalised andmed: 38nC)
Madal pöördülekande mahtuvus (tavaline: 2,9 pF)
100% ühe impulsi laviini energia test
3 Rakendused
Adapteri ja laadija toitelüliti ahel.
VDSS | RDS (sees) (TYP) | ID |
1500V | 4,9Ω | 4A |
4A 1500 V N-kanaliga täiustusrežiimi võimsus MOSFET
1 Kirjeldus
DH4N150, räni N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id, saadakse isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat.Transistorit saab kasutada mitmesugustes toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks.Pakendi vorm on TO-3PF, mis vastab RoHS standardile.
2 Omadused
Kiire ümberlülitamine
Madal sisselülitamistakistus (Rdson≤6,5Ω)
Madal väravatasu (tavalised andmed: 38nC)
Madal pöördülekande mahtuvus (tavaline: 2,9 pF)
100% ühe impulsi laviini energia test
3 Rakendused
Adapteri ja laadija toitelüliti ahel.
VDSS | RDS (sees) (TYP) | ID |
1500V | 4,9Ω | 4A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. asutati 2004. aasta detsembris, asukohaga nr 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.Selle pindala on 15000 m2.Registreeritud kapital on 81,5 miljonit jüaani.Selle aastane tootmisliin on 500 miljonit võimsust de
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., mis asutati 2004. aasta detsembris, asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., mis asutati 2004. aasta detsembris, asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., mis asutati 2004. aasta detsembris, asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., mis asutati 2004. aasta detsembris, asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., mis asutati 2004. aasta detsembris, asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.