Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 4A 1500V N-kanaliga laiendusrežiim Power MOSFET

laadimine

Jaga:
Facebooki jagamisnupp
twitteris jagamise nupp
rea jagamise nupp
wechati jagamisnupp
linkedini jagamisnupp
pinteresti jagamisnupp
whatsapi jagamisnupp
jaga seda jagamisnuppu

4A 1500 V N-kanaliga täiustusrežiimi võimsus MOSFET

4A 1500V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET
Saadavus:
Kogus:
  • DH4N150F

  • WXDH

4A 1500 V N-kanaliga täiustusrežiimi võimsus MOSFET


1 Kirjeldus


DH4N150, räni N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id, saadakse isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat.Transistorit saab kasutada mitmesugustes toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks.Pakendi vorm on TO-3PF, mis vastab RoHS standardile. 


2 Omadused 


  • Kiire ümberlülitamine 

  • Madal sisselülitamistakistus (Rdson≤6,5Ω) 

  • Madal väravatasu (tavalised andmed: 38nC) 

  • Madal pöördülekande mahtuvus (tavaline: 2,9 pF) 

  • 100% ühe impulsi laviini energia test 


3 Rakendused 

 Adapteri ja laadija toitelüliti ahel.



VDSS RDS (sees) (TYP) ID
1500V 4,9Ω 4A


Eelmine: 
Järgmine: 

tootekategooria

Viimased uudised

  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Telli