Type: foto's van foto's 150px*50px 
 |
| Aantal: | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beschrijving
DH4N150, de silicium N-kanaal verbeterde VDMOSFET's, wordt verkregen door de zelfuitgelijnde planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie verbetert.De transistor kan worden gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.De pakketvorm is TO-3PF, wat overeenkomt met de RoHS-standaard.
2 Kenmerken
Snel schakelen
Lage AAN-weerstand (Rdson≤6.5Ω)
Lage poortlading (typische gegevens: 38nC)
Lage omgekeerde overdrachtscapaciteit (typisch: 2,9 pF)
100% Single Pulse lawine-energietest
3 toepassingen
Stroomschakelaarcircuit van adapter en oplader.
| VDSS | RDS(aan)(TYP) | ID kaart |
| 1500V | 4,9 Ω | 4A |
4A 1500V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beschrijving
DH4N150, de silicium N-kanaal verbeterde VDMOSFET's, wordt verkregen door de zelfuitgelijnde planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie verbetert.De transistor kan worden gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.De pakketvorm is TO-3PF, wat overeenkomt met de RoHS-standaard.
2 Kenmerken
Snel schakelen
Lage AAN-weerstand (Rdson≤6.5Ω)
Lage poortlading (typische gegevens: 38nC)
Lage omgekeerde overdrachtscapaciteit (typisch: 2,9 pF)
100% Single Pulse lawine-energietest
3 toepassingen
Stroomschakelaarcircuit van adapter en oplader.
| VDSS | RDS(aan)(TYP) | ID kaart |
| 1500V | 4,9 Ω | 4A |
