注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Кількість: | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
DH4N150, кремнієвий N-канальний покращений VDMOSFET, отриманий за допомогою саморегульованої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини.Транзистор можна використовувати в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.Форма упаковки – TO-3PF, що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
Швидке перемикання
Низький опір увімкнення (Rdson≤6.5Ω)
Низький заряд затвора (типові дані: 38 нКл)
Низька ємність зворотного перенесення (типова: 2,9 пФ)
100% одноімпульсне тестування лавинної енергії
3 Додатки
Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.
| VDSS | RDS (увімкнено) (TYP) | ID |
| 1500В | 4,9 Ом | 4А |
4A 1500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
DH4N150, кремнієвий N-канальний покращений VDMOSFET, отриманий за допомогою саморегульованої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини.Транзистор можна використовувати в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.Форма упаковки – TO-3PF, що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
Швидке перемикання
Низький опір увімкнення (Rdson≤6.5Ω)
Низький заряд затвора (типові дані: 38 нКл)
Низька ємність зворотного перенесення (типова: 2,9 пФ)
100% одноімпульсне тестування лавинної енергії
3 Додатки
Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.
| VDSS | RDS (увімкнено) (TYP) | ID |
| 1500В | 4,9 Ом | 4А |
