Наличие: | |
---|---|
Количество: | |
ДХ4Н150Ф
ШХДХ
4А, 1500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор
1 Описание
DH4N150, кремниевые N-канальные улучшенные VDMOSFET, изготовлены с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает лавинную энергию.Транзистор может использоваться в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности.Форма упаковки TO-3PF соответствует стандарту RoHS.
2 особенности
Быстрое переключение
Низкое сопротивление включения (Rdson≤6,5 Ом)
Низкий заряд затвора (типовые данные: 38 нКл)
Низкая емкость обратного переноса (типично: 2,9 пФ)
100% одноимпульсный тест лавинной энергии
3 приложения
Цепь выключателя питания адаптера и зарядного устройства.
ВДСС | RDS(вкл.)(ТИП) | ИДЕНТИФИКАТОР |
1500В | 4,9 Ом | 4А |
4А, 1500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор
1 Описание
DH4N150, кремниевые N-канальные улучшенные VDMOSFET, изготовлены с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает энергию лавин.Транзистор может использоваться в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности.Форма упаковки TO-3PF соответствует стандарту RoHS.
2 особенности
Быстрое переключение
Низкое сопротивление включения (Rdson≤6,5 Ом)
Низкий заряд затвора (типовые данные: 38 нКл)
Низкая емкость обратного переноса (типично: 2,9 пФ)
100% одноимпульсный тест лавинной энергии
3 приложения
Цепь выключателя питания адаптера и зарядного устройства.
ВДСС | RDS(вкл.)(ТИП) | ИДЕНТИФИКАТОР |
1500В | 4,9 Ом | 4А |
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. была основана в декабре 2004 года и расположена по адресу № 88, Zhongtong East Road, Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Он занимает площадь 15000м2.Уставный капитал составляет 81,5 миллиона юаней.Он имеет годовую производственную линию мощностью 500 миллионов де
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.