ຮູບພາບ: 建议图片大小150px*50px 
 |
| ປະລິມານ: | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 ຄຳອະທິບາຍ
DH4N150, ຊິລິໂຄນ N-channel Enhanced VDMOSFETs, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນທີ່ສອດຄ່ອງຕົນເອງເຊິ່ງຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການນໍາ, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເພີ່ມພະລັງງານ avalanche.transistor ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບການ miniaturization ຂອງລະບົບແລະປະສິດທິພາບສູງ.ແບບຟອມຊຸດແມ່ນ TO-3PF, ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
ສະຫຼັບໄວ
ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤6.5Ω)
ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ (ຂໍ້ມູນປົກກະຕິ: 38nC)
ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບຕ່ໍາ (ປົກກະຕິ: 2.9pF)
100% Single Pulse avalanche ການທົດສອບພະລັງງານ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
ວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຂອງອະແດບເຕີ ແລະເຄື່ອງສາກ.
| VDSS | RDS(ເປີດ)(TYP) | ID |
| 1500V | 4.9Ω | 4A |
4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 ຄຳອະທິບາຍ
DH4N150, ຊິລິໂຄນ N-channel Enhanced VDMOSFETs, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນທີ່ສອດຄ່ອງຕົນເອງເຊິ່ງຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການນໍາ, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເພີ່ມພະລັງງານ avalanche.transistor ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບການ miniaturization ຂອງລະບົບແລະປະສິດທິພາບສູງ.ແບບຟອມຊຸດແມ່ນ TO-3PF, ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
ສະຫຼັບໄວ
ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤6.5Ω)
ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ (ຂໍ້ມູນປົກກະຕິ: 38nC)
ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບຕ່ໍາ (ປົກກະຕິ: 2.9pF)
100% Single Pulse avalanche ການທົດສອບພະລັງງານ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
ວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຂອງອະແດບເຕີ ແລະເຄື່ອງສາກ.
| VDSS | RDS(ເປີດ)(TYP) | ID |
| 1500V | 4.9Ω | 4A |
