Képméret: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Mennyiség: | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
A DH4N150, a szilícium N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját.A tranzisztor különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használható a rendszer miniatürizálása és a nagyobb hatékonyság érdekében.A csomagolási forma TO-3PF, amely megfelel az RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
Gyors váltás
Alacsony bekapcsolási ellenállás (Rdson≤6,5Ω)
Alacsony kaputöltés (tipikus adat: 38nC)
Alacsony fordított átviteli kapacitás (tipikus: 2,9 pF)
100% Egyimpulzusos lavina energiateszt
3 Alkalmazások
Az adapter és a töltő tápkapcsoló áramköre.
| VDSS | RDS(be)(TYP) | ID |
| 1500V | 4,9Ω | 4A |
4A 1500V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
A DH4N150, a szilícium N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját.A tranzisztor különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használható a rendszer miniatürizálása és a nagyobb hatékonyság érdekében.A csomagolási forma TO-3PF, amely megfelel az RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
Gyors váltás
Alacsony bekapcsolási ellenállás (Rdson≤6,5Ω)
Alacsony kaputöltés (tipikus adat: 38nC)
Alacsony fordított átviteli kapacitás (tipikus: 2,9 pF)
100% Egyimpulzusos lavina energiateszt
3 Alkalmazások
Az adapter és a töltő tápkapcsoló áramköre.
| VDSS | RDS(be)(TYP) | ID |
| 1500V | 4,9Ω | 4A |
