注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Množstvo: | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET
1 Popis
DH4N150, kremíkové N-kanálové vylepšené VDMOSFETy, sa získavajú samozarovnávacou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu.Tranzistor je možné použiť v rôznych výkonových spínacích obvodoch pre miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.Forma balenia je TO-3PF, ktorá je v súlade s normou RoHS.
2 Vlastnosti
Rýchle prepínanie
Nízky odpor pri zapnutí (Rdson≤6,5Ω)
Nízke nabitie brány (typické údaje: 38 nC)
Nízke kapacity spätného prenosu (typicky: 2,9 pF)
100% test lavínovej energie jedného impulzu
3 Aplikácie
Obvod vypínača adaptéra a nabíjačky.
| VDSS | RDS(zapnuté)(TYP) | ID |
| 1500V | 4,9Ω | 4A |
4A 1500V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET
1 Popis
DH4N150, kremíkové N-kanálové vylepšené VDMOSFETy, sa získavajú samozarovnávacou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu.Tranzistor je možné použiť v rôznych výkonových spínacích obvodoch pre miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.Forma balenia je TO-3PF, ktorá je v súlade s normou RoHS.
2 Vlastnosti
Rýchle prepínanie
Nízky odpor pri zapnutí (Rdson≤6,5Ω)
Nízke nabitie brány (typické údaje: 38 nC)
Nízke kapacity spätného prenosu (typicky: 2,9 pF)
100% test lavínovej energie jedného impulzu
3 Aplikácie
Obvod vypínača adaptéra a nabíjačky.
| VDSS | RDS(zapnuté)(TYP) | ID |
| 1500V | 4,9Ω | 4A |
