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| Cantidad: | |
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DH4N150F
WXDH
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 4A y 1500 V
1. Descripción
DH4N150, los VDMOSFET mejorados de canal N de silicio, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha.El transistor se puede utilizar en varios circuitos de conmutación de potencia para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia.El formato del paquete es TO-3PF, que cumple con el estándar RoHS.
2 características
Cambio rápido
Baja resistencia de encendido (Rdson≤6.5Ω)
Carga de puerta baja (datos típicos: 38 nC)
Capacitancias de transferencia inversa bajas (típicas: 2,9 pF)
Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
3 aplicaciones
Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador.
| VDSS | RDS (activado) (TIPO) | IDENTIFICACIÓN |
| 1500V | 4,9Ω | 4A |
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 4A y 1500 V
1. Descripción
DH4N150, los VDMOSFET mejorados de canal N de silicio, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha.El transistor se puede utilizar en varios circuitos de conmutación de potencia para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia.El formato del paquete es TO-3PF, que cumple con el estándar RoHS.
2 características
Cambio rápido
Baja resistencia de encendido (Rdson≤6.5Ω)
Carga de puerta baja (datos típicos: 38 nC)
Capacitancias de transferencia inversa bajas (típicas: 2,9 pF)
Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
3 aplicaciones
Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador.
| VDSS | RDS (activado) (TIPO) | IDENTIFICACIÓN |
| 1500V | 4,9Ω | 4A |
