Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Περιγραφή
Το DH4N150, τα ενισχυμένα VDMOSFET με κανάλια πυριτίου N, λαμβάνεται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας.Το τρανζίστορ μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε διάφορα κυκλώματα μεταγωγής ισχύος για σμίκρυνση του συστήματος και υψηλότερη απόδοση.Το έντυπο συσκευασίας είναι TO-3PF, το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
2 Χαρακτηριστικά
Γρήγορη εναλλαγή
Αντίσταση χαμηλής ενεργοποίησης (Rdson≤6,5Ω)
Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τυπικά δεδομένα: 38nC)
Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τυπικό: 2,9 pF)
Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% Single Pulse
3 Εφαρμογές
Κύκλωμα διακόπτη ισχύος προσαρμογέα και φορτιστή.
VDSS | RDS(ενεργό)(TYP) | ταυτότητα |
1500V | 4,9Ω | 4Α |
4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Περιγραφή
Το DH4N150, τα ενισχυμένα VDMOSFET με κανάλια πυριτίου N, λαμβάνεται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας.Το τρανζίστορ μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε διάφορα κυκλώματα μεταγωγής ισχύος για σμίκρυνση συστήματος και υψηλότερη απόδοση.Το έντυπο συσκευασίας είναι TO-3PF, το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
2 Χαρακτηριστικά
Γρήγορη εναλλαγή
Αντίσταση χαμηλής ενεργοποίησης (Rdson≤6,5Ω)
Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τυπικά δεδομένα: 38nC)
Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τυπικό: 2,9 pF)
Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% Single Pulse
3 Εφαρμογές
Κύκλωμα διακόπτη ισχύος προσαρμογέα και φορτιστή.
VDSS | RDS(ενεργό)(TYP) | ταυτότητα |
1500V | 4,9Ω | 4Α |
Η Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. ιδρύθηκε τον Δεκέμβριο του 2004 και βρίσκεται στον αριθμό 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Xinwu District, πόλη Wuxi, επαρχία Jiangsu.Καλύπτει έκταση 15000m2.Το εγγεγραμμένο κεφάλαιο είναι 81,5 εκατομμύρια γιουάν.Διαθέτει ετήσια γραμμή παραγωγής 500 εκατομμυρίων ηλεκτρικού ρεύματος
Η Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., η οποία ιδρύθηκε τον Δεκέμβριο του 2004, βρίσκεται στον αριθμό 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, επαρχία Jiangsu.Με έκταση 15.000 τετραγωνικών μέτρων και εγγεγραμμένο κεφάλαιο 81,50 εκατομμυρίων γιουάν, είναι μια μεγάλη επιχείρηση υψηλής τεχνολογίας
Η Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., η οποία ιδρύθηκε τον Δεκέμβριο του 2004, βρίσκεται στον αριθμό 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, επαρχία Jiangsu.Με έκταση 15.000 τετραγωνικών μέτρων και εγγεγραμμένο κεφάλαιο 81,50 εκατομμυρίων γιουάν, είναι μια μεγάλη επιχείρηση υψηλής τεχνολογίας
Η Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., η οποία ιδρύθηκε τον Δεκέμβριο του 2004, βρίσκεται στον αριθμό 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, επαρχία Jiangsu.Με έκταση 15.000 τετραγωνικών μέτρων και εγγεγραμμένο κεφάλαιο 81,50 εκατομμυρίων γιουάν, είναι μια μεγάλη επιχείρηση υψηλής τεχνολογίας
Η Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., η οποία ιδρύθηκε τον Δεκέμβριο του 2004, βρίσκεται στον αριθμό 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, επαρχία Jiangsu.Με έκταση 15.000 τετραγωνικών μέτρων και εγγεγραμμένο κεφάλαιο 81,50 εκατομμυρίων γιουάν, είναι μια μεγάλη επιχείρηση υψηλής τεχνολογίας
Η Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., η οποία ιδρύθηκε τον Δεκέμβριο του 2004, βρίσκεται στον αριθμό 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, επαρχία Jiangsu.Με έκταση 15.000 τετραγωνικών μέτρων και εγγεγραμμένο κεφάλαιο 81,50 εκατομμυρίων γιουάν, είναι μια μεγάλη επιχείρηση υψηλής τεχνολογίας