Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » MOSFET » 400V-1500V MOS » 4A 1500V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

Yükleniyor

Şurada paylaş:
facebook paylaşım butonu
twitter paylaşım butonu
hat paylaşma butonu
wechat paylaşım düğmesi
linkedin paylaşım butonu
ilgi alanı paylaşma düğmesi
whatsapp paylaşım butonu
bu paylaşım düğmesini paylaş

4A 1500V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

4A 1500V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
Kullanılabilirliği:
Adet:
  • DH4N150F

  • WXDH

4A 1500V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET


1 Açıklama


Silikon N-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler olan DH4N150, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel Teknoloji ile elde edilir.Transistör, sistemin minyatürleştirilmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılabilir.Paket formu, RoHS standardına uygun TO-3PF'dir. 


2 Özellikler 


  • Hızlı Geçiş 

  • Düşük AÇIK Direnç (Rdson≤6,5Ω) 

  • Düşük Geçit Yükü (Tipik Veriler: 38nC) 

  • Düşük Ters transfer kapasitansları (Tipik: 2,9pF) 

  • %100 Tek Darbeli çığ enerjisi Testi 


3 Uygulama 

 Adaptörün ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.



VDSS RDS(açık)(TİP) İD
1500V 4.9Ω 4A


Öncesi: 
Sonraki: 

Ürün Kategorisi

Son Haberler

  • Bültenimize kaydolun
  • geleceğe hazırlanın
    güncellemeleri doğrudan gelen kutunuza almak için bültenimize kaydolun
    Abone