注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Тоо хэмжээ: | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-суваг сайжруулах горим Эрчим хүчний MOSFET
1 Тодорхойлолт
DH4N150, цахиурын N-суваг сайжруулсан VDMOSFET-ийг өөрөө тэгшлэх хавтгай технологиор олж авсан бөгөөд дамжуулалтын алдагдлыг бууруулж, сэлгэн залгах ажиллагааг сайжруулж, нуранги энергийг сайжруулдаг.Транзисторыг системийг жижигрүүлэх, өндөр үр ашигтай болгохын тулд янз бүрийн цахилгаан сэлгэн залгах хэлхээнд ашиглаж болно.Багцын хэлбэр нь RoHS стандартад нийцсэн TO-3PF юм.
2 Онцлогууд
Хурдан солих
Бага асаах эсэргүүцэл(Rdson≤6.5Ω)
Хаалганы цэнэг бага (Ердийн өгөгдөл: 38nC)
Урвуу дамжуулах бага багтаамж(Ердийн:2.9pF)
100% Нэг импульсийн нуранги энергийн туршилт
3 Програм
Адаптер ба цэнэглэгчийн тэжээлийн унтраалга.
| VDSS | RDS(асаалттай)(TYP) | ID |
| 1500 В | 4.9 Ом | 4А |
4A 1500V N-суваг сайжруулах горим Эрчим хүчний MOSFET
1 Тодорхойлолт
DH4N150, цахиурын N-суваг сайжруулсан VDMOSFET-ийг өөрөө тэгшлэх хавтгай технологиор олж авсан бөгөөд дамжуулалтын алдагдлыг бууруулж, сэлгэн залгах ажиллагааг сайжруулж, нуранги энергийг сайжруулдаг.Транзисторыг системийг жижигрүүлэх, өндөр үр ашигтай болгохын тулд янз бүрийн цахилгаан сэлгэн залгах хэлхээнд ашиглаж болно.Багцын хэлбэр нь RoHS стандартад нийцсэн TO-3PF юм.
2 Онцлогууд
Хурдан солих
Бага асаах эсэргүүцэл(Rdson≤6.5Ω)
Хаалганы цэнэг бага (Ердийн өгөгдөл: 38nC)
Урвуу дамжуулах бага багтаамж(Ердийн:2.9pF)
100% Нэг импульсийн нуранги энергийн туршилт
3 Програм
Адаптер ба цэнэглэгчийн тэжээлийн унтраалга.
| VDSS | RDS(асаалттай)(TYP) | ID |
| 1500 В | 4.9 Ом | 4А |
