ပုံ- 建议图片大小150px*50px 
 |
| အရေအတွက်- | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
DH4N150၊ ဆီလီကွန် N-channel မြှင့်တင်ထားသော VDMOSFETs ကို လျှပ်ကူးမှုဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ ကူးပြောင်းခြင်း စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် နှင်းပြိုကျမှု စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသည့် self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရယူထားပါသည်။ထရန်စစ္စတာအား စနစ်အသေးစားနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ပိုမိုမြင့်မားစေရန်အတွက် ပါဝါ switching circuit အမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။ပက်ကေ့ဂျ်ဖောင်သည် TO-3PF ဖြစ်ပြီး၊ RoHS စံနှုန်းနှင့်အညီဖြစ်သည်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
အမြန်ပြောင်းခြင်း။
ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤6.5Ω)
Low Gate Charge (ပုံမှန်ဒေတာ- 38nC)
နိမ့်သော ပြောင်းပြန် လွှဲပြောင်းစွမ်းရည် (ပုံမှန်-2.9pF)
100% Single Pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
အဒက်တာနှင့် အားသွင်းကိရိယာ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။
| VDSS | RDS(ဖွင့်)(TYP) | အမှတ်သညာ |
| 1500V | 4.9Ω | 4A |
4A 1500V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
DH4N150၊ ဆီလီကွန် N-channel မြှင့်တင်ထားသော VDMOSFETs ကို လျှပ်ကူးမှုဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ ကူးပြောင်းခြင်း စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် နှင်းပြိုကျမှု စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသည့် self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရယူထားပါသည်။ထရန်စစ္စတာအား စနစ်အသေးစားနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ပိုမိုမြင့်မားစေရန်အတွက် ပါဝါ switching circuit အမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။ပက်ကေ့ဂျ်ဖောင်သည် TO-3PF ဖြစ်ပြီး၊ RoHS စံနှုန်းနှင့်အညီဖြစ်သည်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
အမြန်ပြောင်းခြင်း။
ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤6.5Ω)
Low Gate Charge (ပုံမှန်ဒေတာ- 38nC)
နိမ့်သော ပြောင်းပြန် လွှဲပြောင်းစွမ်းရည် (ပုံမှန်-2.9pF)
100% Single Pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
အဒက်တာနှင့် အားသွင်းကိရိယာ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။
| VDSS | RDS(ဖွင့်)(TYP) | အမှတ်သညာ |
| 1500V | 4.9Ω | 4A |
