注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Dami: | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang DH4N150 , ang mga silicon na N-channel na Pinahusay na VDMOSFET, ay nakuha ng self-aligned planar Technology na nagpapababa sa pagkawala ng pagpapadaloy, nagpapabuti sa pagganap ng paglipat at nagpapahusay sa enerhiya ng avalanche.Ang transistor ay maaaring gamitin sa iba't ibang power switching circuit para sa system miniaturization at mas mataas na kahusayan.Ang package form ay TO-3PF, na naaayon sa pamantayan ng RoHS.
2 Mga Tampok
Mabilis na Paglipat
Mababang ON Resistance(Rdson≤6.5Ω)
Mababang Gate Charge (Karaniwang Data: 38nC)
Mababang Reverse transfer capacitances(Karaniwang:2.9pF)
100% Single Pulse avalanche energy Test
3 Aplikasyon
Power switch circuit ng adaptor at charger.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 1500V | 4.9Ω | 4A |
4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang DH4N150 , ang mga silicon na N-channel na Pinahusay na VDMOSFET, ay nakuha ng self-aligned planar Technology na nagpapababa sa pagkawala ng pagpapadaloy, nagpapabuti sa pagganap ng paglipat at nagpapahusay sa enerhiya ng avalanche.Ang transistor ay maaaring gamitin sa iba't ibang power switching circuit para sa system miniaturization at mas mataas na kahusayan.Ang package form ay TO-3PF, na naaayon sa pamantayan ng RoHS.
2 Mga Tampok
Mabilis na Paglipat
Mababang ON Resistance(Rdson≤6.5Ω)
Mababang Gate Charge (Karaniwang Data: 38nC)
Mababang Reverse transfer capacitances(Karaniwang:2.9pF)
100% Single Pulse avalanche energy Test
3 Aplikasyon
Power switch circuit ng adaptor at charger.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 1500V | 4.9Ω | 4A |
