注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Số lượng: | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
Chế độ tăng cường kênh N 4A 1500V MOSFET nguồn
1 Mô tả
DH4N150, VDMOSFET nâng cao kênh N silicon, có được nhờ Công nghệ phẳng tự căn chỉnh giúp giảm tổn thất dẫn điện, cải thiện hiệu suất chuyển mạch và tăng cường năng lượng tuyết lở.Bóng bán dẫn có thể được sử dụng trong các mạch chuyển mạch nguồn khác nhau để thu nhỏ hệ thống và mang lại hiệu quả cao hơn.Mẫu gói là TO-3PF, phù hợp với tiêu chuẩn RoHS.
2 tính năng
Chuyển đổi nhanh
Điện trở BẬT thấp (Rdson<6,5Ω)
Phí cổng thấp (Dữ liệu điển hình: 38nC)
Điện dung truyền ngược thấp (Điển hình: 2,9pF)
Kiểm tra năng lượng tuyết lở xung đơn 100%
3 ứng dụng
Mạch chuyển đổi nguồn của adapter và bộ sạc.
| VDSS | RDS(bật)(TYP) | NHẬN DẠNG |
| 1500V | 4,9Ω | 4A |
Chế độ tăng cường kênh N 4A 1500V MOSFET nguồn
1 Mô tả
DH4N150, VDMOSFET nâng cao kênh N silicon, có được nhờ Công nghệ phẳng tự căn chỉnh giúp giảm tổn thất dẫn điện, cải thiện hiệu suất chuyển mạch và tăng cường năng lượng tuyết lở.Bóng bán dẫn có thể được sử dụng trong các mạch chuyển mạch nguồn khác nhau để thu nhỏ hệ thống và mang lại hiệu quả cao hơn.Mẫu gói là TO-3PF, phù hợp với tiêu chuẩn RoHS.
2 tính năng
Chuyển đổi nhanh
Điện trở BẬT thấp (Rdson<6,5Ω)
Phí cổng thấp (Dữ liệu điển hình: 38nC)
Điện dung truyền ngược thấp (Điển hình: 2,9pF)
Kiểm tra năng lượng tuyết lở xung đơn 100%
3 ứng dụng
Mạch chuyển đổi nguồn của adapter và bộ sạc.
| VDSS | RDS(bật)(TYP) | NHẬN DẠNG |
| 1500V | 4,9Ω | 4A |
