Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 4A 1500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET

läser in

Dela till:
Facebook delningsknapp
twitter delningsknapp
linjedelningsknapp
wechat delningsknapp
linkedin delningsknapp
pinterest delningsknapp
whatsapp delningsknapp
dela den här delningsknappen

4A 1500V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

4A 1500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET
Tillgänglighet:
Kvantitet:
  • DH4N150F

  • WXDH

4A 1500V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET


1 Beskrivning


DH4N150, kisel N-kanal Enhanced VDMOSFET, erhålls av den självjusterade planar Technology som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin.Transistorn kan användas i olika kraftomkopplingskretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet.Paketformen är TO-3PF, vilket överensstämmer med RoHS-standarden. 


2 funktioner 


  • Snabbt byte 

  • Lågt PÅ-motstånd (Rdson≤6,5Ω) 

  • Låg grindladdning (typiska data: 38nC) 

  • Låga omvända överföringskapacitanser (typiskt: 2,9pF) 

  • 100 % enkelpuls lavinenergitest 


3 Applikationer 

 Strömbrytarkrets för adapter och laddare.



VDSS RDS(på)(TYP) ID
1500V 4,9 Ω 4A


Tidigare: 
Nästa: 

Produktkategori

Senaste nytt

  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg