注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Antal: | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivelse
DH4N150, silicium N-kanal Enhanced VDMOSFET'erne, er opnået af den selvjusterede planar Technology, som reducerer ledningstabet, forbedrer switching ydeevne og forbedrer lavineenergien.Transistoren kan bruges i forskellige strømomskifterkredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet.Pakkeformen er TO-3PF, hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
Hurtigt skifte
Lav ON-modstand (Rdson≤6,5Ω)
Lav portopladning (typiske data: 38nC)
Lave omvendte overførselskapacitanser (typisk: 2,9 pF)
100 % Single Pulse lavineenergitest
3 Ansøgninger
Strømafbryderkredsløb for adapter og oplader.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 1500V | 4,9 Ω | 4A |
4A 1500V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivelse
DH4N150, silicium N-kanal Enhanced VDMOSFET'erne, er opnået af den selvjusterede planar Technology, som reducerer ledningstabet, forbedrer switching ydeevne og forbedrer lavineenergien.Transistoren kan bruges i forskellige strømomskifterkredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet.Pakkeformen er TO-3PF, hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
Hurtigt skifte
Lav ON-modstand (Rdson≤6,5Ω)
Lav portopladning (typiske data: 38nC)
Lave omvendte overførselskapacitanser (typisk: 2,9 pF)
100 % Single Pulse lavineenergitest
3 Ansøgninger
Strømafbryderkredsløb for adapter og oplader.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 1500V | 4,9 Ω | 4A |
