: 150px*50px 
 |
| Quantity: | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET
1 Description
DH4N150 , Pii N-alveum amplificatum VDMOSFETs obtinetur a auto-aligno plano Technologiae quae conductionem detrimentum minuit, emendare mutandi et augendi energiae NIVIS.Transistor in variis vi mutandi circuitionis rationi adhiberi potest ac efficientiam altiorem minuaturizationis.Forma involucrum est TO-3PF, quae cum signo RoHS congruit.
2 Features
Fast Switching
Minimum DE Resistentia (Rdson≤6.5Ω)
Maximum portam præcipe (Typical Data: 38nC)
Humilis Reverse translationis capacitates (Typical:2.9pF)
C% Single Pulsus NIVIS CASUS industria test
III Applications
Virtutis ambitum nibh ac patina commutandum.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 1500V | 4.9Ω | 4A |
4A 1500V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET
1 Description
DH4N150 , Pii N-alveum amplificatum VDMOSFETs obtinetur a auto-aligno plano Technologiae quae conductionem detrimentum minuit, emendare mutandi et augendi energiae NIVIS.Transistor in variis vi mutandi circuitionis ratiocinari miniaturizationem et efficientiam altiorem adhiberi potest.Forma involucrum est TO-3PF, quae cum signo RoHS congruit.
2 Features
Fast Switching
Minimum DE Resistentia (Rdson≤6.5Ω)
Maximum portam præcipe (Typical Data: 38nC)
Humilis Reverse translationis capacitates (Typical:2.9pF)
C% Single Pulsus NIVIS CASUS industria test
III Applications
Virtutis ambitum nibh ac patina commutandum.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 1500V | 4.9Ω | 4A |
