注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Cantitate: | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
MOSFET de putere 4A 1500V canal N
1 Descriere
DH4N150, VDMOSFET-urile îmbunătățite cu canal N din siliciu, sunt obținute prin tehnologia planară auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă.Tranzistorul poate fi utilizat în diferite circuite de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare.Forma pachetului este TO-3PF, care este în conformitate cu standardul RoHS.
2 Caracteristici
Comutare rapidă
Rezistență scăzută la ON (Rdson≤6,5Ω)
Încărcare scăzută de poartă (date tipice: 38nC)
Capacitate scăzute de transfer invers (Tipic: 2,9 pF)
Test de energie de avalanșă cu un singur impuls 100%.
3 Aplicații
Circuitul comutatorului de alimentare al adaptorului și încărcătorului.
| VDSS | RDS(activat)(TYP) | ID |
| 1500V | 4,9Ω | 4A |
MOSFET de putere 4A 1500V canal N
1 Descriere
DH4N150, VDMOSFET-urile îmbunătățite cu canal N din siliciu, sunt obținute prin tehnologia planară auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă.Tranzistorul poate fi utilizat în diferite circuite de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare.Forma pachetului este TO-3PF, care este în conformitate cu standardul RoHS.
2 Caracteristici
Comutare rapidă
Rezistență scăzută la ON (Rdson≤6.5Ω)
Încărcare scăzută de poartă (date tipice: 38nC)
Capacitate scăzute de transfer invers (Tipic: 2,9 pF)
Test de energie de avalanșă 100% cu un singur impuls
3 Aplicații
Circuitul comutatorului de alimentare al adaptorului și încărcătorului.
| VDSS | RDS(activat)(TYP) | ID |
| 1500V | 4,9Ω | 4A |
