Қол жетімділігі: | |
---|---|
Саны: | |
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-арнаны жақсарту режимі Қуат MOSFET
1 Сипаттама
DH4N150, кремний N-арнасы жақсартылған VDMOSFETs, өткізгіштік жоғалуын азайтатын, ауысу өнімділігін жақсартатын және көшкін энергиясын жақсартатын өздігінен реттелетін жазық технология арқылы алынған.Транзисторды жүйені миниатюризациялау және жоғары тиімділік үшін әртүрлі қуат коммутация тізбегінде пайдалануға болады.Пакет пішіні RoHS стандартына сәйкес келетін TO-3PF.
2 Мүмкіндіктер
Жылдам ауысу
Төмен ҚОСУ кедергісі (Rdson≤6,5Ω)
Төмен қақпа заряды (Типтік деректер: 38nC)
Төмен кері тасымалдау сыйымдылығы (Әдепкі: 2,9pF)
100% Бірыңғай импульстік көшкін энергиясының сынағы
3 Қолданбалар
Адаптер мен зарядтағыштың қуат қосқышының тізбегі.
VDSS | RDS(қосу)(TYP) | ID |
1500В | 4,9 Ом | 4A |
4A 1500V N-арнаны жақсарту режимі Қуат MOSFET
1 Сипаттама
DH4N150, кремний N-арнасы жақсартылған VDMOSFETs, өткізгіштік жоғалуын азайтатын, ауысу өнімділігін жақсартатын және көшкін энергиясын жақсартатын өздігінен реттелетін жазық технология арқылы алынған.Транзисторды жүйені миниатюризациялау және жоғары тиімділік үшін әртүрлі қуат коммутация тізбегінде пайдалануға болады.Пакет пішіні RoHS стандартына сәйкес келетін TO-3PF.
2 Мүмкіндіктер
Жылдам ауысу
Төмен ҚОСУ кедергісі (Rdson≤6,5Ω)
Төмен қақпа заряды (Типтік деректер: 38nC)
Төмен кері тасымалдау сыйымдылығы (Әдепкі: 2,9pF)
100% Бірыңғай импульстік көшкін энергиясының сынағы
3 Қолданбалар
Адаптер мен зарядтағыштың қуат қосқышының тізбегі.
VDSS | RDS(қосу)(TYP) | ID |
1500В | 4,9 Ом | 4A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. 2004 жылдың желтоқсан айында Цзянсу провинциясы, Уси қаласы, Синьву ауданы, Шуофан, Чжунтонг шығыс жолы, № 88 мекенжайында орналасқан.Ол 15000 м2 аумақты алып жатыр.Жарғылық капиталы 81,5 миллион юань.Оның жылына 500 миллион электр қуатын өндіретін өндірістік желісі бар
2004 жылдың желтоқсанында құрылған Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Цзянсу провинциясы, Уси қаласы, Синьву ауданы, Шуофан қаласы, Шығыс Чжунтун жолының № 88 мекенжайында орналасқан.Аумағы 15 000 шаршы метр және жарғылық капиталы 81,50 миллион юань, бұл жоғары технологиялық кәсіпорны.
2004 жылдың желтоқсанында құрылған Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Цзянсу провинциясы, Уси қаласы, Синьву ауданы, Шуофан қаласы, Шығыс Чжунтун жолының № 88 мекенжайында орналасқан.Аумағы 15 000 шаршы метр және жарғылық капиталы 81,50 миллион юань, бұл жоғары технологиялық кәсіпорны.
2004 жылдың желтоқсанында құрылған Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Цзянсу провинциясы, Уси қаласы, Синьву ауданы, Шуофан қаласы, Шығыс Чжунтун жолының № 88 мекенжайында орналасқан.Аумағы 15 000 шаршы метр және жарғылық капиталы 81,50 миллион юань, бұл жоғары технологиялық кәсіпорны.
2004 жылдың желтоқсанында құрылған Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Цзянсу провинциясы, Уси қаласы, Синьву ауданы, Шуофан қаласы, Шығыс Чжунтун жолының № 88 мекенжайында орналасқан.Аумағы 15 000 шаршы метр және жарғылық капиталы 81,50 миллион юань, бұл жоғары технологиялық кәсіпорны.
2004 жылдың желтоқсанында құрылған Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Цзянсу провинциясы, Уси қаласы, Синьву ауданы, Шуофан қаласы, Шығыс Чжунтун жолының № 88 мекенжайында орналасқан.Аумағы 15 000 шаршы метр және жарғылық капиталы 81,50 миллион юань, бұл жоғары технологиялық кәсіпорны.