الحجم: 150px*50px الصورة 
 |
| الكمية: | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET
1. الوصف
يتم الحصول على DH4N150، وهي VDMOSFETs المحسنة لقناة N السيليكونية، من خلال تقنية المستوى الذاتي الانحياز والتي تقلل من فقدان التوصيل، وتحسن أداء التبديل وتعزز طاقة الانهيار الجليدي.يمكن استخدام الترانزستور في دوائر تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام وزيادة الكفاءة.نموذج الحزمة هو TO-3PF، والذي يتوافق مع معيار RoHS.
2 الميزات
التبديل السريع
مقاومة منخفضة (Rdson ≥6.5Ω)
شحن البوابة المنخفض (البيانات النموذجية: 38nC)
سعات النقل العكسي المنخفضة (نموذجي: 2.9pF)
اختبار طاقة الانهيار الجليدي النبضي الفردي بنسبة 100%
3 تطبيقات
دائرة تبديل الطاقة للمحول والشاحن.
| VDSS | RDS (تشغيل) (TYP) | بطاقة تعريف |
| 1500 فولت | 4.9 أوم | 4 ا |
4A 1500V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET
1. الوصف
يتم الحصول على DH4N150، وهي VDMOSFETs المحسنة لقناة N السيليكونية، من خلال تقنية المستوى الذاتي الانحياز والتي تقلل من فقدان التوصيل، وتحسن أداء التبديل وتعزز طاقة الانهيار الجليدي.يمكن استخدام الترانزستور في دوائر تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام وزيادة الكفاءة.نموذج الحزمة هو TO-3PF، والذي يتوافق مع معيار RoHS.
2 الميزات
التبديل السريع
مقاومة منخفضة (Rdson ≥6.5Ω)
شحن البوابة المنخفض (البيانات النموذجية: 38nC)
سعات النقل العكسي المنخفضة (نموذجي: 2.9pF)
اختبار طاقة الانهيار الجليدي النبضي الفردي بنسبة 100%
3 تطبيقات
دائرة تبديل الطاقة للمحول والشاحن.
| VDSS | RDS (تشغيل) (TYP) | بطاقة تعريف |
| 1500 فولت | 4.9 أوم | 4 ا |
