ukuran: ukuran foto 150px*50px 
 |
| Kuantitas: | |
|---|---|
DH4N150F
WXDH
4A 1500V N-channel Mode Peningkatan Daya MOSFET
1 Deskripsi
DH4N150, VDMOSFET yang Ditingkatkan saluran-N silikon, diperoleh dengan Teknologi planar selaras mandiri yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja peralihan, dan meningkatkan energi longsoran salju.Transistor dapat digunakan dalam berbagai rangkaian peralihan daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.Bentuk paketnya adalah TO-3PF yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
Peralihan Cepat
Resistansi ON Rendah (Rdson≤6.5Ω)
Biaya Gerbang Rendah (Data Khas: 38nC)
Kapasitansi transfer Balik Rendah (Khas: 2,9pF)
Uji energi longsoran Pulsa Tunggal 100%.
3 Aplikasi
Rangkaian sakelar daya adaptor dan pengisi daya.
| VDSS | RDS(aktif)(TYP) | PENGENAL |
| 1500V | 4,9Ω | 4A |
4A 1500V N-channel Mode Peningkatan Daya MOSFET
1 Deskripsi
DH4N150, VDMOSFET yang Ditingkatkan saluran-N silikon, diperoleh dengan Teknologi planar selaras mandiri yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja peralihan, dan meningkatkan energi longsoran salju.Transistor dapat digunakan dalam berbagai rangkaian peralihan daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.Bentuk paketnya adalah TO-3PF yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
Peralihan Cepat
Resistansi ON Rendah (Rdson≤6.5Ω)
Biaya Gerbang Rendah (Data Khas: 38nC)
Kapasitansi transfer Balik Rendah (Khas: 2,9pF)
Uji energi longsoran Pulsa Tunggal 100%.
3 Aplikasi
Rangkaian sakelar daya adaptor dan pengisi daya.
| VDSS | RDS(aktif)(TYP) | PENGENAL |
| 1500V | 4,9Ω | 4A |
