150A 150V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS042N15E TO-263

150A 150V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET

1 Опис 

Цей потужний МОП-транзистор N-канального режиму покращення використовує вдосконалену технологію Split Gate Trench, яка забезпечує чудовий Rdson і низький заряд затвора одночасно. Що відповідає стандарту RoHS. 

2 Особливості 

● Низький опір 

● Низький заряд затвора 

● Швидке перемикання

● Низькі ємності зворотного перенесення 

● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини 

● 100% тест ΔVDS 

● Сертифікація AEC-Q101

3 Додатки 

● Керування двигуном і привід 

● Керування батареєю 

● ДБЖ (джерела безперебійного живлення)

Vces	RDS (увімкнено) (TYP)	ID
150В	4,8 мОм	150А