150 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS042N15E TO-263

150 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

● AEC-Q101-qualifiziert

3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)

Vces	RDS(ein) (TYP)	AUSWEIS
150V	4,8 mΩ	150A