150A 150V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS042N15E TO-263

150A 150 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

● AEC-Q101 qualifiziert

3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● UPS (uninterpulierbare Stromversorgungen)