Kullanılabilirliği: | |
---|---|
Miktar: | |
DHS042N15E
WXDH
263 TO
150V
150A
150A 150V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu Power MOSFET, aynı anda mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlayan gelişmiş bölünmüş kapı hendek teknolojisini kullanır. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
● AEC-Q101 Nitelikli
3 Uygulama
● Motor kontrolü ve sürüşü
● Pil yönetimi
● UPS (Müziksiz Güç Kaynakları)
VCS | RDS (ON) (tip) | İD |
150V | 4.8mΩ | 150A |
150A 150V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu Power MOSFET, aynı anda mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlayan gelişmiş bölünmüş kapı hendek teknolojisini kullanır. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
● AEC-Q101 Nitelikli
3 Uygulama
● Motor kontrolü ve sürüşü
● Pil yönetimi
● UPS (Müziksiz Güç Kaynakları)
VCS | RDS (ON) (tip) | İD |
150V | 4.8mΩ | 150A |