MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 31A y 600 V

MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 31A y 600 V

1 Descripción 

Estos vdmosfets mejorados de canal N utilizan tecnología y diseño avanzados de súper unión para proporcionar un Rdson excelente con una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Tiempo de recuperación rápido 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Diodo ESD incorporado 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Corrección del factor de potencia (PFC). 

● Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). 

● Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS). 

● Convertidores de CA a CC 

● Telecomunicaciones, energía solar

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
600V	86mΩ	31A