MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 2A 650V D2N65 TO-252B

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 2 A 650 V

1 Descriptif

Ces vdmosfets améliorés à canal N sont obtenus grâce à la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 CARACTÉRISTIQUES

● Commutation rapide 

● Capacité améliorée ESD 

● Faible résistance (Rdson≤5,5Ω) 

● Faible charge de grille (type : 9,5 nC) 

● Faibles capacités de transfert inverse (Typ : 3pF)

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS 

3 candidatures

● Utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation du système et une efficacité supérieure. 

● Circuit de commutation d'alimentation du ballast électronique et de l'adaptateur.

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
650V	4,6Ω	2A