2A 650V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere D2N65 TO-252B

2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Descriere

Aceste vdmosfeturi îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS. 

2 CARACTERISTICI

● Comutare rapidă 

● Capacitate îmbunătățită ESD 

● Rezistență scăzută (Rdson≤5,5Ω) 

● Încărcare scăzută de poartă (Tip: 9,5 nC) 

● Capacitate scăzute de transfer invers (Tip: 3pF)

● Test de energie de avalanșă cu un singur impuls 100%.

● Test 100% ΔVDS 

3 Aplicații

● Folosit în diferite circuite de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare. 

● Circuitul comutatorului de alimentare al balastului electronic și al adaptorului.

VDSS	RDS(activat)（TYP)	ID
650V	4,6Ω	2A