7A 800V N-channel Modalità di miglioramento Potenza MOSFET F7N80 TO-220F

7A 800v N-channel Modalità di miglioramento Mosfet di potenza

1 Descrizione

Questi VDMOSFET migliorati a canale N, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Che accorda con lo standard ROHS. TO-220F fornisce una tensione di isolamento classificata a 2000 V RM da tutti e tre i terminali a dissipatore di calore esterno. La serie TO-220F è conforme agli standard UL (FILE RIF: E252906). 

2 caratteristiche 

● commutazione rapida 

● ESD Capacità migliorata 

● Resistenza bassa (RDSON≤1,8Ω) 

● CARICA GATE basso (tip: 33,9 nc) 

● Capacità di trasferimento inverse basse (tip: 11.2pf) 

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%

● Test al 100% ΔVDS 

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore elettronico.