Daha Fazla Bilgi(1)(8) (1)
geçit
Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » MOSFET » 12V-300V MOS » 40A 30V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHD80N03 TO-252B

yükleniyor

Şurada paylaş:
facebook paylaşım butonu
twitter paylaşım butonu
hat paylaşma butonu
wechat paylaşım düğmesi
linkedin paylaşım butonu
ilgi alanı paylaşma düğmesi
whatsapp paylaşım butonu
bu paylaşım düğmesini paylaş

40A 30V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHD80N03 TO-252B

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur.
Stok Durumu:
Adet:
Sor Sepete Ekle

40A 30V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama


Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur. 


2 Özellikler 

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi


3 Uygulama 

● Güç anahtarlama uygulamaları 

● İnvertör yönetim sistemi 

● Elektrikli aletler 

● Otomotiv elektroniği



VDSS RDS(açık)(TİP) İD
30V 5,2 mΩ 40A


Öncesi: 
Sonraki: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
  • Bültenimize kaydolun
  • geleceğe hazırlanın
    güncellemeleri doğrudan gelen kutunuza almak için bültenimize kaydolun
    Göndermek
Telif Hakkı © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknoloji: leadong.com