未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET » 12V-300V N MOS » 40A 30V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DHD80N03 TO-252B

belastning

Dela till:
Facebook delningsknapp
twitter delningsknapp
linjedelningsknapp
wechat delningsknapp
linkedin delningsknapp
pinterest delningsknapp
whatsapp delningsknapp
dela den här delningsknappen

40A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHD80N03 TO-252B

Dessa kraftmofetter i N-kanals förbättringsläge använde avancerad trench-teknikdesign, vilket gav utmärkt Rdson och låg grindladdning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden.
Tillgänglighet:
Kvantitet:
Fråga Lägg i varukorgen

40A 30V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivning


Dessa kraftmofetter i N-kanals förbättringsläge använde avancerad trench-teknikdesign, vilket gav utmärkt Rdson och låg grindladdning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. 


2 funktioner 

● Lågt motstånd 

● Låg grindladdning 

● Snabb växling 

● Låga omvända överföringskapacitanser 

● 100 % enkelpuls lavinenergitest 

● 100 % ΔVDS-test


3 Applikationer 

● Strömväxlingsapplikationer 

● Inverter management system 

● Elverktyg 

● Bilelektronik



VDSS RDS(på)(TYP) ID
30V 5,2 mΩ 40A


Tidigare: 
Nästa: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com