gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » 40A 30V N-Channel Mode Peningkatan Daya MOSFET DHD80N03 TO-252B

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
tombol berbagi baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

40A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHD80N03 TO-252B

Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:

40A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 deskripsi


Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● Rendah pada resistensi 

● Biaya gerbang rendah 

● Pergantian cepat 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS


3 aplikasi 

● Aplikasi switching daya 

● Sistem manajemen inverter 

● Alat listrik 

● Elektronik otomotif



VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
30v 5.2mΩ 40a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Newsletter kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda