Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » MOSFET » 12V-300V N MOS » 60a 30v N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET DH081N03D TO-252B

încărcare

Distribuie la:
Buton de partajare Facebook
Buton de partajare pe Twitter
Buton de partajare a liniei
Buton de partajare WeChat
Butonul de partajare LinkedIn
Butonul de partajare Pinterest
Butonul de partajare WhatsApp
Buton de partajare Sharethis

Mod de îmbunătățire a canalelor N 60A 30V MOSFET DH081N03D TO-252B

Mod de îmbunătățire a canalelor N 60A 30V N-canal, Disponibilitate MOSFET
:
Cantitate:

60A 30V Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET


1 Descriere 

Aceste moduri de îmbunătățire a canalelor N MOSFET-uri au utilizat un design avansat al tehnologiei șanțului, au furnizat RDSON excelent și o încărcare joasă de poartă. Care este în conformitate cu standardul ROHS. 


2 caracteristici 

● Rezistență scăzută 

● Încărcare scăzută a porții 

● comutare rapidă

● Capacități de transfer invers scăzut

● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplicații 

● Aplicații de comutare a puterii 

● Sistem de gestionare a invertorului 

● Instrumente electrice 

● Electronică auto

VDSS RDS (ON) (TIP) Id
30V 8.1mΩ 60a


Anterior: 
Următorul: 
  • Înscrieți -vă la newsletter -ul nostru
  • Pregătește -te pentru viitorul
    înregistrare pentru newsletter -ul nostru pentru a primi actualizări direct la căsuța de e -mail