MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 100 A 85 V
1 Descrizione
Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
● Bassa resistenza
● Carica di gate bassa
● Commutazione rapida
● Basse capacità di trasferimento inverso
● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.
● Test ΔVDS al 100%.
3 applicazioni
● Applicazioni di commutazione di potenza
● Convertitori CC-CC
● Alimentazione dell'UPS
| VDSS |
RDS(acceso)(TIPO) |
ID |
| 85 V |
6,1 mΩ |
100A |