未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
13A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650 V 13A Specyfikacja urządzenia DHSJ13N65.pdf
12A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
31A 600V N-kanałowy MOSFET mocy z superzłączem DJC099N60F/DJF099N60F
N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy 12 A, 700 V DJF360N70
4,8 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
40A 100 V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100 V 40A Specyfikacja urządzenia DH100P40.pdf
-10A -40V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V -10A Urządzenie+DH170P04V+Specyfikacja.pdf
180A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80 V 180A Specyfikacja urządzenia DH029N08.pdf
100A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68 V 100A Specyfikacja urządzenia DH3205A.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Urządzenie DHS045N98 Specyfikacja-Rev.1.0.pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 50A, 650 V, G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
42A 600V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600 V 42A Specyfikacja urządzenia DJC070N60F.pdf
180A 68V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
150A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150 V 150A DHS042N15 i DHS042N15E_Arkusz danych_V2.0 (1).pdf
145A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V 145A Specyfikacja urządzenia DH028N03.pdf
4A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
5A 800V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
120A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60 V 120A Urządzenie+DH065N06+Specyfikacja+Rev.2.0.pdf
85A 150 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150 V 85A Specyfikacja urządzenia DHS110N15D.pdf

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com