brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
12N60/F12N60/E12N60
 N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 TO-252B 650 V 7A Specyfikacja urządzenia DHDSJ7N65 i DHBSJ7N65.doc.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60 V 12A Specyfikacja urządzenia DH500P06R Rev.1.0.pdf
20N60/F20N60/20N60D
120A 98V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS046N10.pdf
2N65/F2N65/B2N65/D2N65
220A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40 V 220A Urządzenie DTE025N04NA i DTG025N04NA Specyfikacja Rev.1.0.pdf
110A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60 V 110A Donghai_DH065N06D_Datasheet_V2.0.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
10A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650 V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf
155A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Specyfikacja urządzenia DH035N04.pdf
14A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 18A 650 V DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Specyfikacja urządzenia DHG20T65D (TO-220F).pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A Donghai_DH140N10B i DH140N10D_Arkusz danych_V1.0.pdf
20A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500 V 20A Specyfikacja urządzenia 20N50(1).pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS052N10.pdf
-30A -100V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100 V -30A Specyfikacja urządzenia DH100P30CB1Q.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS052N10.pdf
18A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf

Film o produkcie



  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą