brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
12A 650V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
13A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650 V 13A Špecifikácia zariadenia DHSJ13N65.pdf
31A 600V N-kanálový napájací MOSFET Super Junction DJC099N60F/DJF099N60F
12A 700V N-kanálový napájací MOSFET Super Junction DJF360N70
4,8A 650V N-kanálový super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
40A 100V P-kanál v režime vylepšenia napájania MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100 V 40A Špecifikácia zariadenia DH100P40.pdf
-10A -40V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V -10A Zariadenie+DH170P04V+Špecifikácia.pdf
180A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80 V 180A Zariadenie DH029N08 Špecifikácia.pdf
100A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Špecifikácia zariadenia DH3205A.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N98-Rev.1.0.pdf
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána bipolárny tranzistor G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
Výkonový MOSFET 180A 68V N-channel Mode Enhancement Mode DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
42A 600V N-channel Super Junction Power MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600 V 42A Špecifikácia zariadenia DJC070N60F.pdf
145A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Zariadenie DH028N03 Špecifikácia.pdf
4A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
150A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150 V 150A DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
5A 800V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
120A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60 V 120A Zariadenie+DH065N06+Špecifikácia+Rev.2.0.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
85A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150 V 85A Špecifikácia zariadenia DHS110N15D.pdf

Video o produkte



  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty