brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
20A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100 V 20A Donghai_DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf
20N60/F20N60/20N60D
 N-kanálový Super Junction Power MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 TO-252B 650 V 7A Zariadenie DHDSJ7N65&DHBSJ7N65 Špecifikácia.doc.pdf
 P-kanál Enhancement Mode Power MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60 V 12A Špecifikácia zariadenia DH500P06R Rev.1.0.pdf
2N65/F2N65/B2N65/D2N65
120A 98V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98 V 120A Špecifikácia zariadenia DHS046N10.pdf
220A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40 V 220A Špecifikácia zariadenia DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
110A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60 V 110A Donghai_DH065N06D_Datasheet_V2.0.pdf
10A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650 V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf
155A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Zariadenie DH035N04 Špecifikácia.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
20A 500V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500 V 20A Špecifikácia zariadenia 20N50(1).pdf
 N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Špecifikácia zariadenia DHS052N10.pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
14A 650V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 650V s izolovanou bránou bipolárny tranzistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Špecifikácia zariadenia DHG20T65D(TO-220F).pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
18A 500V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
-30A -100V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100 V -30A Zariadenie DH100P30CB1Q Špecifikácia.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Špecifikácia zariadenia DHS052N10.pdf

Video o produkte



  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty