未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA TO-263 200 V 110A DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
15A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Špecifikácia zariadenia DH850N10.pdf
180A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
25A 100V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Špecifikácia zariadenia DH100P25.pdf
60A 20V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH048N02B/DH048N02D
21A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS400N10LD / DHS400N10LB / DHS400N10L
20A 500V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
21A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
80A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Zariadenie+DATD063N06N+Špecifikácia Rev.1.0.pdf
90A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Zariadenie DH045N04 Špecifikácia.pdf
170A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145A Zariadenie DH045N06 Špecifikácia.pdf
18A 100V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Zariadenie DH100P18 B79 Špecifikácia.pdf
47A 100V N-channel režim vylepšenia napájania MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100 V 47A Špecifikácia zariadenia DHS180N10L.pdf
90A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150 V 90A Špecifikácia zariadenia DHS110N15 Rev.1.0.pdf
135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 Mýtny balík DSU035N14N3 TOLL 135 V 225A DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
90A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Zariadenie DH045N04 Špecifikácia.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
11A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650 V 11A Zariadenie DHSJ11N65Špecifikácia(S).pdf

Video o produkte



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com