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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 40V DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Hoja de datos+V3.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA A-263 200V 110A DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 15A 100V DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Especificación del dispositivo DH850N10.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 21 A y 100 V DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 21A 650V DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W A-247 650V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET DATD063N06N TO-252B del poder del modo del aumento del canal N de 80A 60V DATD063N06N TO-252B 60V 80A Dispositivo+DATD063N06N+Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia F20N50 del modo de mejora del canal N de 20A 500V F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 60 A y 20 V DH048N02B/DH048N02D
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 25A 100V DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Especificación del dispositivo DH100P25.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 40V DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40V 90A Especificación del dispositivo DH045N04.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 100V DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 A-263 100V 170A DSG030N10N3 y DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 60V DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145A Especificación del dispositivo DH045N06.pdf
MOSFET TO-220C de potencia de modo de mejora de canal N de 47A y 100 V DHS180N10L TO-220C 100V 47A Especificación del dispositivo DHS180N10L.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 150V DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150V 90A Dispositivo DHS110N15 Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P de 18A 100V DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Especificación.pdf
Paquete de peaje N-MOSFET DSU035N14N3 de 135 V/3,3 mΩ/225 A DSU035N14N3 PEAJE 135V 225A DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 40V DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Especificación del dispositivo DH045N04.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A DSG140N12N3 y DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de unión estupenda de canal N de 11A 650V DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650V 11A Dispositivo DHSJ11N65Especificación(S).pdf

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