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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET

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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 15 A 100 V DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Specifiche del dispositivo DH850N10.pdf
MOSFET di potenza DHS021N04 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 40 V DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Scheda Tecnica+V3.0.pdf
MOSFET N DSE108N20NA TO-263 da 200 V/11 mΩ/110 A DSE108N20NA TO-263 200 V 110A DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 21 A 100 V DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 25 A 100 V DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Specifiche del dispositivo DH100P25.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 21 A 650 V DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 60 V DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Dispositivo+DATD063N06N+Specifica Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 60 A 20 V DH048N02B/DH048N02D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 20 A 500 V F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 90 A 40 V DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Dispositivo DH045N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 170 A 100 V DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 60 V DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
 MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145A Dispositivo DH045N06 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza TO-220C in modalità potenziamento canale N da 47 A 100 V DHS180N10L TO-220C 100 V 47A Specifiche del dispositivo DHS180N10L.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 18 A 100 V DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHS110N15 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 90 A 150 V DHS110N15 TO-220C 150 V 90A Specifiche del dispositivo DHS110N15 Rev.1.0.pdf
135 V/3,3 mΩ/225 A N-MOSFET DSU035N14N3 Pacchetto pedaggio DSU035N14N3 PEDAGGIO 135 V 225A DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 11 A 650 V DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650 V 11A Dispositivo DHSJ11N65Specifiche(S).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 90 A 40 V DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Dispositivo DH045N04 Specifiche.pdf
MOSFET N 120 V/12 mΩ/70 A DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120 V 70A DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf

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