未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti » MOSFET



Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

MOSFET

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 150 V DH50N15 TO-220C DH50N15 TO-220C 150 V 50A Specifiche del dispositivo DH50N15.pdf
Pacchetto TOLL MOSFET di potenza DH012N03U in modalità potenziamento canale N da 235 A 30 V DH012N03U PEDAGGIO 30 V 235A Dispositivo+DH012N03U+Specifica+V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 9 A 900 V 9N90 TO-3PN 9N90 TO-3PN 900 V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
MOSFET N da 80 V/3,4 mΩ/100 A DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80 V 100A DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 170 A 85 V DSP032N08NA DFN5X6 DSP032N08NA DFN5X6 85 V 170A DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET N 100 V/1,7 mΩ/240 A DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 TO-220C 100 V 240A DSG024N10N3&DSE022N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET N 100 V 140 A DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 TO-220C 100 V 140A DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
DSE043N14N TO-263 DSE043N14N TO-263 135 V 180A DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
DSG031N10N3 TO-220C DSG031N10N3
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 20 A 60 V DH9Z24 TO-220C DH9Z24 TO-220C 60 V 20A Specifiche del dispositivo DH9Z24B1R Rev.1.0.pdf
Pacchetto PEDAGGIO DSU007N04NA 40 V/0,5 mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA PEDAGGIO 40 V 360A DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DSG045N14N TO-220 in modalità potenziamento canale N da 180 A 135 V DSG045N14N TO-220C 135 V 180A DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
PACCHETTO MOSFET di potenza DSP018N04LA DSP018N04LA in modalità potenziamento canale N da 100 A 40 V DSP018N04LA DFN5X6 40 V 100A  DSP018N04LA _Scheda tecnica_V1.0.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85 V 180A Dispositivo+DSG041N08NA+Specifica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza DHS021N04D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 120 A 40 V DHS021N04D TO-252B 40 V 120A Donghai+DHS021N04D+Scheda dati+V3.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 160 A 30 V DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30 V 160A Dispositivo DH020N03P Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 25 A 100 V D25N10 TO-252B D25N10 TO-252B 100 V 25A Specifiche del dispositivo 25N10.pdf
85 V/0,9 mΩ/360 A N-MOSFET DSU011N08N3A PEDAGGIO DSU011N08N3A PEDAGGIO 85 V 360A DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 40 V DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Dispositivo DH033N04 Specifiche.pdf

Video del prodotto



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com