未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » МОСФЕТ



Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

МОСФЕТ

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
DSG019N04L TO-220C Пакет DSG019N04L До-220c 40 В 180a DSG019N04L_DATASHEET_V1.0.PDF
40 В/0,85 мм/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 DSE012N04NA До 263 40 В 200a DSE012N04NA_DATASHEET_V1.0.PDF
100A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSP018N04LA DFN5X6 Пакет DSP018N04LA DFN5X6 40 В 100А  Dsp018n04la _dataheet_v1.0.pdf
235A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH012N03U TOLL Package DH012N03U ПОТЕРИ 30 В 235а Устройство+DH012N03U+Спецификация+v2.0.pdf
80 В/3,4 МОм/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80 В 100А Dsp037n08n3_dataheet_v1.0.pdf
170A 85V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSP032N08NA DFN5X6 DSP032N08NA DFN5X6 85 В 170a DSP032N08NA_DATASHEET_V1.0.PDF
DSE043N14N до-263 DSE043N14N До 263 135V 180a DSE043N14N & DSG045N14N_DATASHEET_V3.0.PDF
180A 135V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSG045N14N TO-220 DSG045N14N До-220c 135V 180a DSE043N14N & DSG045N14N_DATASHEET_V3.0.PDF
DSU024N10N3A платный пакет DSU024N10N3A ПОТЕРИ 100 В 272а DSU024N10N3A_DATASHEET_V1.0.PDF
DSE022N10N3 до-263 DSE022N10N3
100 В/1,7 МОм/240A N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 До-220c 100 В 240a DSG024N10N3 & DSE022N10N3_DATASHEET_V1.0.PDF
DSG031N10N3 до-220C DSG031N10N3
9A 650V N-канальный режим режима Power Mosfet D9N65 до 252B D9N65 До 252b 650 В. 9а 英文版 d9n65 技术规格书 (1) .pdf
60A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH105N07D до 252B DH105N07d До 252b 68 В 60A Устройство DH105N07 Specification.pdf
180a 40 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DTG018N04N TO-220C DTG018N04N До-220c 40 В 180a Donghai DTG018N04N & DTJ018N04N DATASHEET Rev.1.0 .pdf
40A 1200 В n-канал SIC Power MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C До 247 1200 В. 40a Устройство DCC075M120G2C Specification.pdf
18A 200 В N-канальный режим улучшения мощности Mosfet DH640 до-220C DH640 До-220c 200 В 18а Устройство 640 Specification.pdf
12A 100 В n-канальный режим улучшения режима мощности B12N10/D12N10
200A 40 В n-канальный режим улучшения режима мощности D1404/FD1404/ED1404
F6N90 до-220f F6N90 До-220f 900 В. 6A 英文版 f6n90 技术规格书 .pdf

Видео продукта



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com