未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
50A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH50N15 TO-220C DH50N15 TO-220C 150 V 50A Specyfikacja urządzenia DH50N15.pdf
235A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH012N03U TOLL Pakiet DH012N03U MYTO 30 V 235A Urządzenie+DH012N03U+Specyfikacja+V2.0.pdf
9A 900V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy 9N90 TO-3PN 9N90 TO-3PN 900 V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
80 V/3,4 mΩ/100 A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80 V 100A DSP037N08N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
170A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSP032N08NA DFN5X6 DSP032N08NA DFN5X6 85 V 170A DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
100V/1,7mΩ/240A N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 TO-220C 100 V 240A DSG024N10N3 i DSE022N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
DSE043N14N TO-263 DSE043N14N TO-263 135 V 180A DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
DSG031N10N3 TO-220C DSG031N10N3
20A 60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH9Z24 TO-220C DH9Z24 TO-220C 60 V 20A Specyfikacja urządzenia DH9Z24B1R Rev.1.0.pdf
Pakiet TOLL 40V/0,5mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA DSU007N04NA MYTO 40 V 360A DSU007N04NA_Arkusz danych_V1.0.pdf
100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 TO-220C 100 V 140A DSG054N10N3 i DSE054N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
180A 135V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG045N14N TO-220 DSG045N14N TO-220C 135 V 180A DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
100A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy DSP018N04LA PAKIET DFN5X6 DSP018N04LA DFN5X6 40 V 100A  DSP018N04LA _Arkusz danych_V1.0.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85 V 180A Urządzenie+DSG041N08NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS021N04D TO-252B DHS021N04D TO-252B 40 V 120A Donghai+DHS021N04D+karta katalogowa+V3.0.pdf
25A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D25N10 TO-252B D25N10 TO-252B 100 V 25A Specyfikacja urządzenia 25N10.pdf
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Specyfikacja urządzenia DH033N04.pdf
85V/0,9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A OPŁATA DSU011N08N3A MYTO 85 V 360A DSU011N08N3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
160A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30 V 160A Specyfikacja urządzenia DH020N03P.pdf

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com