brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA TO-263 200 V 110A DSE108N20NA_Arkusz danych_V1.0.pdf
15A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Specyfikacja urządzenia DH850N10.pdf
180A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+karta katalogowa+V3.0.pdf
21A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
20A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
21A 650V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
25A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Specyfikacja urządzenia DH100P25.pdf
80A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Urządzenie+DATD063N06N+Specyfikacja Rev.1.0.pdf
MOSFET mocy w trybie N, 60 A, 20 V DH048N02B/DH048N02D
170A 100 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A DSG030N10N3 i DSE028N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
90A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Specyfikacja urządzenia DH045N04.pdf
100A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A DH066N06D_Arkusz danych_V2.0.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145A Specyfikacja urządzenia DH045N06.pdf
47A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100 V 47A Specyfikacja urządzenia DHS180N10L.pdf
18A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Urządzenie DH100P18 B79 Specyfikacja.pdf
90A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150 V 90A Specyfikacja urządzenia DHS110N15 Rev.1.0.pdf
135 V/3,3 mΩ/225 A N-MOSFET DSU035N14N3 Pakiet płatny DSU035N14N3 MYTO 135 V 225A DSU035N14N3_Arkusz danych_V2.0.pdf
90A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Specyfikacja urządzenia DH045N04.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120 V 70A DSG140N12N3 i DSE140N12N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
11A 650V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650 V 11A Urządzenie DHSJ11N65Specyfikacja(S).pdf

Film o produkcie



  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą