Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » МОП-транзистор



Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

МОП-транзистор

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
200 В/11 мОм/110 А N-МОП-транзистор DSE108N20NA TO-263 ДСЕ108Н20НА ТО-263 200В 110А DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
15А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH850N10B TO-251B ДХ850Н10Б ТО-251Б 100В 15А Спецификация устройства DH850N10.pdf
180 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS021N04 TO-220C DHS021N04 ТО-220С 40В 180А Дунхай+DHS021N04&DHS021N04E+Информация+V3.0.pdf
60 А, 20 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор ДХ048Н02Б/ДХ048Н02Д
21 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор ДХС400Н10ЛД/ДХС400Н10ЛБ/ДХС400Н10Л
20 А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F20N50 Ф20Н50 ТО-220Ф 500В 20А 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор с суперпереходом, 21 А, 650 В DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W ТО-247 650В 21А DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
25 А, 100 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH100P25D TO-252B ДХ100П25Д ТО-252Б -100В -25А Спецификация устройства DH100P25.pdf
80A 60V N-канальный режим расширения MOSFET DATD063N06N TO-252B ДАТД063N06N ТО-252Б 60В 80А Устройство+DATD063N06N+Спецификация Версия 1.0.pdf
90 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH045N04 TO-220C ДХ045N04 ТО-220С 40В 90А Спецификация устройства DH045N04.pdf
170 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSE028N10N3 TO-263 ДСЕ028Н10Н3 ТО-263 100В 170А DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH066N06 TO-220C ДХ066Н06 ТО-220С 60В 100А DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 145 А, 60 В DH045N06D TO-252B ДХ045N06 ТО-220С 60В 145А Спецификация устройства DH045N06.pdf
47А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор TO-220C ДХС180Н10Л ТО-220С 100В 47А Спецификация устройства DHS180N10L.pdf
18А, 100 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH100P18B TO-251B ДХ100П18Б ТО-251Б 100В 18А Спецификация устройства DH100P18 B79.pdf
90 А, 150 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS110N15 TO-220C ДХС110Н15 ТО-220С 150 В 90А Спецификация устройства DHS110N15, версия 1.0.pdf
135 В/3,3 мОм/225 А N-MOSFET DSU035N14N3 Платный пакет ДСУ035Н14Н3 ПОТЕРИ 135 В 225А DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
90А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH045N04D TO-252B ДХ045Н04Д ТО-252Б 100В 50А Спецификация устройства DH045N04.pdf
120 В/12 мОм/70 А N-МОП-транзистор DSG140N12N3 TO-220C ДСГ140Н12Н3 120 В 70А DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
11А, 650 В, N-канальный силовой МОП-транзистор с суперпереходом DHSJ11N65 TO-220C ДХСДЖ11Н65 ТО-220С 650В 11А Устройство DHSJ11N65Спецификация(S).pdf

Видео о продукте



  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com