未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET



Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

MOSFET

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
15A 100V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Seadme DH850N10 spetsifikatsioon.pdf
180A 40V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 KUNI -220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA TO-263 200V 110A Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
21A 650 V N-kanaliga Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650V 21A Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
80A 60V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60V 80A Seade+DATD063N06N+Spetsifikatsioon Rev.1.0.pdf
60A 20V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH048N02B/DH048N02D
20A 500V N-kanali laiendusrežiim Toide MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
21A 100V N-kanaliga täiustusrežiimi võimsus MOSFET DHS400N10LD / DHS400N10LB / DHS400N10L
25A 100V P-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Seadme DH100P25 spetsifikatsioon.pdf
90A 40V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 KUNI -220C 40V 90A Seadme DH045N04 spetsifikatsioon.pdf
170A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100A 60V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 KUNI -220C 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 KUNI -220C 60V 145A Seadme DH045N06 spetsifikatsioon.pdf
90A 150V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 KUNI -220C 150V 90A Seadme DHS110N15 spetsifikatsioon Rev.1.0.pdf
47A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET TO-220C DHS180N10L KUNI -220C 100V 47A Seadme DHS180N10L spetsifikatsioon.pdf
18A 100 V P-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Seadme DH100P18 B79 spetsifikatsioon.pdf
135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 Teemaksupakett DSU035N14N3 TOLL 135V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
11A 650 V N-kanaliga Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 KUNI -220C 650V 11A Seadme DHSJ11N65Specification(S).pdf
90A 40V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Seadme DH045N04 spetsifikatsioon.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf

Tootevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com