未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
40A 60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Specyfikacja urządzenia DH400P06.pdf
90A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Specyfikacja urządzenia DHD80N08.pdf
8A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600 V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40 V -50A Donghai_DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET mocy 140 A, 30 V, tryb wzmocnienia kanału P DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Epitaksjalny tranzystor krzemowy NPN 13003G5 TO-126 13003G5
63A 60V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
20A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650 V 20A 英文版20N65D 技术规格书REV1.0.pdf
105A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40 V 130A Specyfikacja urządzenia DH025N04.pdf
140A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150 V 140A Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
-30A -100V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100 V -30A Specyfikacja urządzenia DH100P30CB1Q.pdf
MOSFET mocy 140 A, 30 V, tryb wzmocnienia kanału P DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68 V 60A Specyfikacja urządzenia DH50N06FZC.pdf
130A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40 V 130A Specyfikacja urządzenia DH025N04.pdf
120A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80 V 120A Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
170A 100 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
25A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100 V 25A Urządzenie+DHS250N10D+Specyfikacja+Rev1.0.pdf
10A 400V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 740 TO-220C 740 TO-220C 400 V 10A Specyfikacja urządzenia 740.pdf
Pakiet OPŁAT DSU024N10N3A DSU024N10N3A MYTO 100 V 272A Donghai_DSU024N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
50A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH50N15 TO-220C DH50N15 TO-220C 150 V 50A Specyfikacja urządzenia DH50N15.pdf

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com