未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET



модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

MOSFET

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
40A 60V P-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 ТО-220С 60В 40А Специфікація пристрою DH400P06.pdf
90A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 ТО-252Б 80В 90А Специфікація пристрою DHD80N08.pdf
8A 600V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 ТО-220С 600В 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D ТО-252Б -40В -50А DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
140A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Епітаксіальний кремнієвий транзистор NPN 13003G5 TO-126 13003G5
20A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D ТО-3ПН 650В 20А 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
63A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
-30A -100V P-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C ТО-220С -100В -30А Специфікація пристрою DH100P30CB1Q.pdf
105A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P ДФН5*6-8 40В 130А Специфікація пристрою DH025N04.pdf
140A 150V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA ТО-220С 150В 140А  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
140A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
60A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 ТО-220С 68В 60А Специфікація пристрою DH50N06FZC.pdf
130A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D ТО-252Б 40В 130А Специфікація пристрою DH025N04.pdf
120A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 ТО-220С 80В 120А DSG053N08N3&DSE051N08N3_Таблиця даних_V1.0.pdf
170A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 ТО-220С 100В 170А DSG030N10N3&DSE028N10N3_Таблиця даних_V1.0.pdf
25A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D ТО-252Б 100В 25А Пристрій+DHS250N10D+Специфікація+Ред.1.0.pdf
10A 400V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 740 TO-220C 740 ТО-220С 400В 10А Специфікація пристрою 740.pdf
235A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH012N03U пакет TOLL DH012N03U ПЛАТА 30В 235A Пристрій+DH012N03U+Специфікація+V2.0.pdf
DSU024N10N3A Платний пакет DSU024N10N3A ПЛАТА 100В 272A DSU024N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf

Відео продукту



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com